區熔硅片

區熔硅片
產品詳情


Diameter
2"
3"
4"
5"
6"
8"
GradePrime
Growth MethodFZ
Orientation<1-0-0>,<1-1-1>
Type/DopantIntrinsic,P Type/Boron,N Type/Phos
Thichness (um)
279
380525
625675725
Thichness ToleranceStandard ±25um± 50um
Resistivity(Ohm-cm)1000-20000 ,Maximum Capabilities>20000, 1-5 ohm-cm
Surface FinishedP/E,P/P,E/E,G/G
TTV (um)Standard < 10um
Bow/Warp (um)Standard < 40um<50um
Particle<10@0.3um<30@0.5um


區熔硅片就是通過區熔法(Float Zone)長晶得到區熔單晶硅棒,然后把單晶硅棒加工成硅片,叫做區熔硅片。區熔硅片由于在長晶的過程中沒有跟石英坩堝接觸,硅材料處于懸浮狀態,因此長晶過程中受污染少。碳含量和氧含量更低,雜質更少,電阻率更高,適用于功率器件和某些耐高壓電子器件的制造。
區熔硅片在長晶過程中,通常不會像直拉法那樣摻入雜質元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此區熔硅片大多是本征型,不摻雜的高阻片,電阻率大于>1000歐姆-厘米。但是某些情況下,也可以通過NTD中照和GD氣摻來實現對區熔硅棒的摻雜,以達到均勻性更好和更低的電阻率。

供應產品
區熔硅片
化合物半導體
外延片
氧化片
單晶硅棒
直拉硅片
聯 系 我 們
   地址:廣東省深圳市龍華區觀湖街道環觀中路206號C棟418
郵箱: sales@weisswafer.com
手機:+86-13631407937
座機:+86-755-2374 4725