外延片(EPI)

外延片(EPI)
產品詳情


                                   Diameter4"
5"
6"
8"




Epitaxy-Layer

DopantBoron, Phos, Arsenic
Orientation<100>, <111>
TypeP/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
Resistivity0.001-1000 Ohm-cm
Res. UniformityStandard <6%, Maximum Capabilities <2%
Thickness(um)0.1-150
Thickness UniformityStandard <3%, Maximum Capabilities <1%



Substrate

Orientation<100>, <111>
Type/DopantP Type/Boron , N Type/Phos,   N Type/As, N Type/Sb
Thickness (um)300-725
Resistivity0.001-100 Ohm-cm
Surface FinishedP/P, P/E
Particle<30@.0.5um



外延片(EPI)指的是在襯底上生長出的半導體薄膜,薄膜主要由P型,量子阱,N型三個部分構成?,F在主流的外延材料是氮化鎵(GaN),襯底材料主要有藍寶石。硅,碳化在三種,量子阱般為5個通常用的生產工藝為金屬有機物氣相外延(MOCVD),這是LED產業的核心部分,需要較高的技術以及較大的資金投入。
目前在硅襯底上可以做普通外延層,多層結構外延層,超高阻外延層,超厚外延層,外延層電阻率可達一千歐姆以上,導電類型為:P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多種類型。
硅外延晶片是用于制造廣泛的半導體器件的核心材料,在消費、工業、軍事和空間電子學中都有應用。

供應產品
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