絕緣片(SOI)

絕緣片(SOI)
產品詳情


Diameter4“
5”
6“
8”




Device Layer

DopantBoron, Phos, Arsenic, Antimony, Undoped
Orientation
<100>, <111>
TypeSIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut
Resistivity
0.001-20000 Ohm-cm
Thickness (um)0.2-150
The Uniformity<5%


BOX Layer

Thickness (um)0.4-3
Uniformity<2.5%



Substrate

Orientation
<100>, <111>
Type/DopantP Type/Boron , N Type/Phos,   N Type/As, N Type/Sb
Thickness (um)300-725
Resistivity0.001-20000 Ohm-cm
Surface FinishedP/P, P/E
Particle
<10@.0.3um



SOI材料的制備方法有多種,過去經常采用的有離子束、電子束或激光區熔再結晶(ZMR),外延橫向生長法(ELO)等,這些方法各有特色,但對于制造商用SOI晶片來說,其生產能力和成本因素略顯不足。目前,注氧隔離法(SIMOX)和硅片鍵合法是制造低成本商用SOI晶片的兩種主要方法,并在國際上形成了兩大生產流派。采用這兩種方法都已能制造Φ200mm SOI晶片,并且有望滿足0.25μm/0.18μm工藝線的質量要求,它們面臨的主要挑戰是如何進一步提高產量、降低成本,即以IC制造商可接受的價格規模生產出質量符合要求的SOI晶片以滿足IC規模生產的要求。

供應產品
區熔硅片
化合物半導體
外延片
氧化片
單晶硅棒
直拉硅片
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