什么是區熔硅片?

什么是區熔硅片?
區熔硅片就是通過區熔法(Float Zone)長晶得到區熔單晶硅棒,然后把單晶硅棒加工成硅片,叫做區熔硅片。區熔硅片由于在長晶的過程中沒有跟石英坩堝接觸,硅材料處于懸浮狀態,因此長晶過程中受污染少。碳含量和氧含量更低,雜質更少,電阻率更高,適用于功率器件和某些耐高壓電子器件的制造。
區熔硅片在長晶過程中,通常不會像直拉法那樣摻入雜質元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此區熔硅片大多是本征型,不摻雜的高阻片,電阻率大于>1000歐姆-厘米。但是某些情況下,也可以通過NTD中照和GD氣摻來實現對區熔硅棒的摻雜,以達到均勻性更好和更低的電阻率。


Diameter2" 3" 4" 5" 6" 8"
Growth MethodFZ
Orientation < 1-0-0 > , < 1-1-1 >
Type/DopantIntrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
Thickness (um)279380525625675725
Thickness ToleranceStandard ± 25um±50um
Resistivity(Ohm-cm)1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5
Surface FinishedP/E , P/P, E/E, G/G
TTV (um)Standard < 10 um
Bow/Warp   (um)Standard <40 um<50um
Particle<10@0.3um


區熔硅片就是通過區熔法(Float Zone)長晶得到區熔單晶硅棒,然后把單晶硅棒加工成硅片,叫做區熔硅片。區熔硅片由于在長晶的過程中沒有跟石英坩堝接觸,硅材料處于懸浮狀態,因此長晶過程中受污染少。碳含量和氧含量更低,雜質更少,電阻率更高,適用于功率器件和某些耐高壓電子器件的制造。
區熔硅片在長晶過程中,通常不會像直拉法那樣摻入雜質元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此區熔硅片大多是本征型,不摻雜的高阻片,電阻率大于>1000歐姆-厘米。但是某些情況下,也可以通過NTD中照和GD氣摻來實現對區熔硅棒的摻雜,以達到均勻性更好和更低的電阻率。


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