在臺積電投資人會議上，除了聊到是否獲得       華為      供應許可證的焦點性話題外，還提到了臺積電8寸晶圓是否調漲價格的問題。臺積電總裁魏哲家表示，臺積電與客戶為緊密的伙伴關系，并沒有調漲8寸晶圓的價格。     但這與全球彌漫的8寸晶圓漲價風似乎有些“格格不入”。雖然說基于臺積電良好的芯片代工（Foundry）商業模式給臺積電與客戶帶來的緊密伙伴關系，但從另外一方面來說臺積...

2020年第一季度寬禁帶半導體相關項目匯總  轉自“芯思想ChipInsights”投產項目 1、中國電科（山西）碳化硅材料產業基地 2020年3月3日，中國電科(山西)碳化硅材料產業基地一期項目投產。 項目于2019年4月1日開工建設， 9月26日封頂。建筑面積 2.7 萬平方米，能容納 600 臺碳化硅單晶生產爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測能力，可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片產...

總會有人問“為什么晶圓是晶圓不是晶方？“簡單的來說硅晶片是這樣的：精挑細選且提純過后的高純度多晶硅是在一個籽晶（seed）上旋轉生長出來后切成的片子。簡化的流程如下所述：首先是硅提純，將沙石原料放入一個溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化碳進行化學反應（碳與氧結合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅，這對微電子器件來說不夠純，因為半導體...

來源:|作者:id1506174|發布時間: 2018-01-03   第3代半導體是指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石、氧化鋅（ZnO）為代表的寬禁帶半導體材料，各類半導體材料的帶隙能比較見表1。與傳統的第1代、第2代半導體材料硅（Si）和砷化鎵（GaAs）相比，第3代半導體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，使其在光電器件、電力電...